Рассмотрены проблемы создания и поведения во время эксплуатации системы кремний-диоксид кремния. Особое внимание уделено вопросам дефектообразования, причины которого связаны как с природой исходных кремниевых пластин, так и с процессом термических обработок.
Подробно с привлечением нового материала рассмотрен процесс термического окисления кремния. Впервые проведен анализ взаимодействия кислорода с поверхностью кремния. Впервые проведен анализ взаимодействия первых монослоев оксида кремния. С единой позиции, основанной на анализе структурно-примесных дефектов системы Si-SiO2, рассмотрена нестабильность электрических свойств структур металл (поликристаллический кремний) - диоксид кремния - кремний, связанная с дрейфом ионов и забросом носителей заряда в слой окисленного кремния.
Для инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики и технологии кремниевых микросхем, и будет полезна научным работникам, аспирантам и студентам вузов.
Дополнительно: Уважаемые покупатели на выкуп заказа отводиться семь дней с момента подтверждения наличия книги, по истечении данного срока заказ анулируется. При заказах на сумму более 5000 р. возможен прием оплаты от организаций по безналичному расчету.
)
как новое;
В продаже с 12.08.2023
