Изложены основные физические представления - классические и квантовые, на основе которых рассмотрены полупроводниковые структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением и возможности создания приборов на их: основе. Проанализированы физические процессы, вызывающие появление отрицательного сопротивления. Описаны оригинальные физические и математические модели полупроводниковых структур от макроскопических до существенно квантовых. Особенностью этих моделей является учет влияния подвижных носителей на характеристики области пространственного заряда р-п переходов. Рассмотрены эффекты заплывания коллекторного перехода и туннелирования через систему потенциальных барьеров и квантовых ям, а также структуры на основе стеклообразных полупроводников.
Проанализированы перспективы развития приборов с отрицательным сопротивлением, основанных на квантовой интерференции электронных волн терагерцового диапазона частот - резонансного туннелирования и эффекта модуляции фазы волн. Показана возможность создания новой идеологии построения схемотехники с новыми функциональными возможностями, позволяющей обрабатывать и хранить информацию на атомном уровне.
Для научных работников, занимающихся полупроводниковой электроникой.
Дополнительно: Уважаемые покупатели на выкуп заказа отводиться семь дней с момента подтверждения наличия книги, по истечении данного срока заказ анулируется. При заказах на сумму более 5000 р. возможен прием оплаты от организаций по безналичному расчету.
)
новое;
В продаже с 04.05.2023
