Рассмотрены возможности применения оптической металлографии, рентгеновской дифракционной топографии и электронной микроскопии для контроля качества исходных полупроводниковых материалов и приборов. Показано, что в настоящее время основным методом промышленного контроля структурного совершенства полупроводников остается оптическая металлография.
Приведены примеры применения различных методов рентгеновской дифракционной топографии для контроля структурных нарушений, возникающих на всех этапах изготовления полупроводниковых приборов, экспериментальные данные о применении рентгеновских методов для структурного совершенства полупроводников.
Рассмотрены примеры применения просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) в исследовании влияния легирующих примесей на структурное совершенство объемных монокристаллов и эпитаксиальных пленок.
Показаны возможности и перспективы применения сканирующей электронной микроскопии.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже