Каталог: Техника и технология »•» Связь, электроника

	Нечаев, А.М.; Синкевич, В.Ф.; Соколова, Е.И. и др. Том 2. Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия Серия: Полупроводниковые приборы
	Издательство: М.: ЦНИИ "Электроника"
	Переплет: мягкий; 42 страниц; 1981 г.
	ISBN: [не указан]; Формат: стандартный
	Язык: русский
	На сайте с 06.03.2015

Аннотация

В настоящем обзоре рассмотрены результаты исследований причин и механизмов отказов транзисторов на арсениде галлия. Описана влияние конструктивных и технологических факторов, а также режима и условий работы транзисторов на закономерности возникновения и механизмы отказов. Источником материала служили научные работы, опубликованные за 1970-1980 гг.

В продаже  Хочу купить

Искать похожие  только название автор и название

Добавить объявление продаю хочу купить

листать