В обзоре проведен анализ результатов исследования и применения метода сопротивления растекания для контроля удельного сопротивления полупроводниковых материалов. Приведены условия применимости метода и результаты теоретического расчета сопротивления растекания, рассмотрены схемы измерения и некоторые методические указания по применению метода. Отмечена возможность неразрушающих измерений удельного сопротивления и толщины эпитаксиальных структур любого типа и толстых структур с р-п переходом. Утверждается, что дальнейшее увеличение точности определения удельного сопротивления сдерживается использованием графических методов обработки результатов измерения и отсутствием адекватной математической аппроксимации калибровочной зависимости. Отмечается высокая относительная точность измерений (1-2%), высокая разрешающая способность по глубине и по поверхности (0,1 - 1 мкм) соответственно, высокая производительность (до 500 изм./ч).
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже
