Фотостимулированные процессы окисления карбида кремния
Издательство: Баку-Таганрог. Сумгаитский государственный университет. Национальная академия авиации.- Таганрогский государственный радиотехнический университет
В работе представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований фотостимулированных процессов получения тонких оксидных пленок на карбиде кремния с помощью быстрой термической обработки (БТО). На основе разработанных моделей предложены методики оптимизации конструкции реакционной камеры установки БТО и режимов термообработки структур на SiC. Показано, что основные электрофизические параметры диэлектрика, полученного на SiC с помощью БТО в фотостимулированном процессе, не уступают оксидным пленкам при термическом окислении карбида кремния. Монография предназначена для специалистов в области технологии микроэлектроники, а также для студентов и аспирантов соответствующих специальностей. Оглавление: 1. Современные представления о методах получения диэлектрических пленок. Взаимодействие световых потоков. Методы окисления карбида кремния. Фотостимулированные процессы окисления полупроводников. 2. Моделирование процесса окисления. Расчет концентрации активных кислородных частиц при окислении. Термодинамический анализ реакций окисления. Модель термического и фотостимулированного процессов окисления. Адсорбция окислителя на внешней поверхности окисла. 3. Экспериментальное получение оксидных пленок с помощью УФ и ИК излучений. Оборудование для активационных процессов формирования диэлектрических пленок на поверхности карбида кремния. Экспериментальное исследование фотостимулированного процесса окисления. Исследование электрофизических параметров оксидных пленок. Табл. 8, Ил. 35, Библиогр.: 68 назв. Тираж 100 экз.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже