В производстве полупроводниковых приборов и ИС широко используется высокотемпературная термообработка в окислительной среде для создания пассивирующих покрытий, диффузных масок, источников примесей при диффузных процессах.
В обзоре рассмотрены вопросы образования дефектов, возникающих в активных областях полупроводниковых кремниевых приборов при высокотемпературном окислении, тонкой структуры переходного слоя и влияния образующихся дефектов на процессы деградации электрических параметров. Показано, что рост окисла сопровождается образованием слоя кремния, обогащенного кислородом выше предела растворимости в области формирования p-n-перехода, и центы деформации, присутствующие в исходном материале и образующиеся при обработке поверхности, являются местами осаждения кислорода и примесей при последующих термообработках.
Структура переходного слоя, образующегося на границе пленка-подложка, непостоянна, а меняется в зависимости от дефективности поверхностного слоя и параметров полупроводникового прибора.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже
