СОДЕРЖАНИЕ
В. С. Митин, Ю. А. Крыжаловский Зависимость статического коэффициента усиления транзисторов Вст от температуры.
Б. Л. Перельман, В. М. Придорогин Температурная зависимость коэффициента передачи тока кремниевых планарных транзисторов при малых уровнях инжекции В. Ф. Зарудский, К. Б. Левицкий, В. Г. Науменко, Н. А. Ухин Сравнительные результаты облучения нейтронами диффузионных и диффузионно-ионных высокочастотных п-р-п кремниевых транзисторов средней мощности.
С. Е. Горский, К Б. Левицкий Влияние толщины и удельного сопротивления эпитаксиальной пленки на граничную частоту транзисторов.
И. Ф. Николаевский, В. В. Полевой, Е. П. Сорокин О параметрах схемы замещения СВЧ мощных транзисторов при больших уровнях инжекции.
Н. В. Карякина, Э. Д. Поликарпов, Э. А. Хенкин Исследование шумовых свойств планарных транзисторов.
П. Г. Дерменжи, Ю. А. Евсеев О переходном процессе включения триодной структуры.
Н. С. Мостовлянский, В. Д. Соловьев О "шнуровании" тока в транзисторах..
В. И. Ячевский, В. В. Соловьев К расчету переходных процессов при открывании транзистора.
В. А. Кузьмин, О. Р. Мочалкина, В. С. Першенков Предельное быстродействие маломощных тиристоров.
В. А. Горохов Переходные процессы при включении фототиристора
В. А. Кузьмин, Ю. А. Парменов Анализ вольтамперной характеристики тиристора в открытом состоянии.
И. В. Сурант Теплоэлектрические характеристики системы полупроводниковый прибор - окружающая среда.
В. В. Климов Пересчетные схемы на туннельных диодах и транзисторах .
Л. С. Берман, А. С. Тагер Полупроводниковый диод в режиме лавинного пробоя как управляемая реактивность.
А. Г. Здрок Анализ работы полупроводниковых диодов в схемах с встречной э. д. с.
А. А. Визель, В. П. Вороненке, В. И. Навроцкий Анализ умножителей частоты, работающих на нелинейной барьерной емкости запертых р-п переходов полупроводниковых диодов.
Э. И. Багдасарьянц Однопереходный транзистор и его применение.
Д. В. Игумнов Влияние ширины канала па параметры полевого транзисторав макрорежиме.
В. П. Мухин, В. Г. Карманов Исследование свойств электротеплового контура.
Б. В. Величко, И. А. Струков, В. С. Эткин Методика измерения параметров полупроводниковых диодов.в динамическом режиме.
Н. С. Мостовлянский, Е. И. Дризе, О. Г. Реботенко Генератор тока для наблюдения вольтамперных характеристик.
И. С. Громов, Ю. А. Воронцов, Л. Ф. Юркевич К вопросу об измерении параметров модуляторных транзисторов.
В. С. Громов, Б. Л. Перельман Измерение температуры коллекторного перехода с использованием статического коэффициента передачи тока базы.
А. Н. Кабанов, Д. Б. Зворыкин, Л. В. Борискина, В. Н. Юдаев Микротеневое экспонирование фоторезистов.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже
