Рассматриваются наиболее важные вопросы теории, конструирования и применения полевых транзисторов, в том числе физика поверхности полупроводников, физика диэлектриков, структура и рост пленок двуокиси кремния, тонкопленочный транзистор и его применение в интегральных схемах. Особое внимание уделяется конструированию интегральных схем, в которых применение полевых транзисторов кажется наиболее перспективным. Книга содержит материал, имеющий практическую ценность, например, формулы для расчета толщины термически выращенной пленки двуокиси кремния в зависимости от времени и температуры окисления, уравнения для расчета характеристик и параметров полевых транзисторов и электронных схем на их основе, экспериментальные данные по радиационной стойкости транзисторов.
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже
