В радиационных процессах, протекающих в диэлектрических материалах при больших поглощенных дозах излучения (102-103 МГр), решающую роль играют агрегация точечных дефектов и радиолиз. В щелочно-галоидных кристаллах при дозах 102-104 МГр основными радиационными дефектами являются агрегатные (Fn- и Vn-центры) и макродефекты - металлические коллоиды и агрегаты анионных продуктов радиолиза. В оксидных материалах при облучении быстрыми нейтронами (до 1022 нейтр/см2) также происходит агрегация точечных дефектов, приводящая к изменению плотности вещества. В этих соединениях образование металлических коллоидов менее выражено, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Радиационные дефекты в оксидных материалах образуются по ударному механизму, что определяет их более высокую радиационную стойкость по сравнению со щелочно-галоидными кристаллами, в которых реализуется электронный механизм генерации дефектов.
В монографии освещена также проблема радиационной стойкости диэлектрических материалов, использующихся в ядерной и термоядерной энергетике, а также в твердотельной электронике Коротко рассмотрены вопросы лучевой стойкости лазерных материалов. Анализируется экологический аспект захоронения радиоактивных отходов в пластах каменной соли.
В настоящей работе предпринята попытка рассмотреть радиационные процессы, протекающие в диэлектрических материалах в области больших поглощенных доз ионизирующего излучения, при которых поглощенная на один атом энергия сравнима с энергией связи или существенно больше ее.
Первичные процессы образования радиационных дефектов в твердых телах рассмотрены в двух монографиях тартуской школы: Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с рождением дефектов в твердых телах. - М.: Наука, 1989; М. А. Эланго. Элементарные упругие радиационные процессы. - М.: Наука, 1988. В связи с этим в настоящей монографии главное внимание уделяется вторичным радиационным процессам - агрегации точечных дефектов с образованием макродефектов и продуктов радиолиза, которые существенно зависят как от поглощенной дозы, так и от мощности дозы и температуры облучения.
На основе исследований щелочно-галоидных кристаллов предпринята попытка установить общие закономерности процессов образования радиационных макродефектов в области больших поглощенных доз. Разработанные при этом методология и модели применимы и к другим классам материалов. Радиационные эффекты при больших поглощенных дозах в оксидных материалах (MgO, Аl2О3, SiO2) рассмотрены на более описательном уровне, чем в щелочно-галоидных кристаллах. Это объясняется тем, что первичные процессы в оксидных материалах менее исследованы, чем в щелочно-галоидных кристаллах, что затрудняет выявление элементарных механизмов вторичных радиационных процессов. Однако более высокая радиационная стойкость оксидных материалов в значительной степени объясняется отсутствием в них электронного механизма образования первичных радиационных дефектов.
Прикладные аспекты отражены при рассмотрении рад
В продаже
Хочу купить
сейчас этого издания книги в продаже нет
попробуйте поискать другие издания этого произведения при помощи ссылок ниже
или оставьте объявление о покупке или продаже
